|
イシカワ ヤスアキ
ISHIKAWA Yasuaki
石河 泰明 所属 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
|
| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2018/04 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Growth and characterization of low composition Ge, x in epi-Si1-xGex (x ≤ 10 %) active layer for fabrication of hydrogenated bottom solar cell |
| 執筆形態 | 共同 |
| 掲載誌名 | J. Phys. D.: Appl. Phys. |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | 51,pp.185107-1-11 |
| 著者・共著者 | Muhammad Ajmal Khan, R. Sato, K. Sawano, Porponth Sichanugrist, Lukyanov Anatoliy, and Yasuaki Ishikawa |
| DOI | 10.1088/1361-6463/aab80d |